1 引言?
在兆瓦級,大功率電力電子應用中需要大容量的半導體器件。然而,對于某些應用來說,即使是目前可以得到的*大半導體器件容量也不夠大。因此需要將它們并聯。在傳統的電力電子電路中將半導體器件并聯是非常普遍的。
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現在討論一種可能的方案:電力電子裝配把包含IGBT和二極管的IGBT基本單元、散熱器、直流環節電容、驅動器和保護電路、輔助電源和PWM控制器(一個獨立單元)組裝在一個三相逆變器中。這些單元可以并聯,例如用于一臺帶永磁發電機的4象限驅動風力發電機和所展示的全功率4兆瓦變換器。
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本文介紹一種在中壓范圍內得到更大風力發電功率的方法。該方法使用變速中壓永磁發電機的線路接口連接,沒有任何電壓和功率限制,并且采用已經證明有效的半導體器件和組件。將基本電力電子單元串聯以獲得更高的電壓,并聯以獲得更高的功率等級。
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2 不同阻斷電壓下IGBT效率的對比
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IGBT在電力電子電路中使用非常廣泛。如今有各種電壓等級的IGBT,廣泛用于工業應用的1200V和1700V IGBT以及3.3kV、4.5kV和6.5kV的中壓IGBT。那么哪種電壓等級*適合大功率應用呢?當上述IGBT被放置在目前可得到的*大外殼中以制造逆變器時,可以找到這個問題的答案。當然,在*優工作條件下模擬可用功率更簡單。
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為了做到這一點,選用了*大的標準外殼(IHM,190mm寬)。IGBT都被封裝在這個外殼中,并定義了*佳工作條件:直流運行電壓Vdc、,交流輸出電壓Vac、載波開關頻率3.6 kHz以及盡可能好的冷卻條件。圖1顯示了基于給定參數而計算出的不同IGBT的可用功率。
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結果顯示,采用3.3 kV、1200 A獨立模塊得到的*大功率約為采用1.7 kV、2400 A IGBT所得功率的一半。相比之下,6.5 kV、600 A IGBT模塊所提供的功率僅為1.7 kV IGBT的四分之一。產生這一結果的原因是IGBT模塊的損耗。如果計算圖2中三個變換器的效率,可以看到損耗比為1:2:4。
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對于這個對比,我們使用了相同的載波開關頻率fsw = 3.6kHz。這使得我們有機會采用相對較小的濾波器設計逆變器。使用不同的載波開關頻率,將導致所用的輸出正弦濾波器不同。基于上述種種原因,可以看出,采用1.7 kV IGBT可實現*大效率,它是一款單位模塊價格非常合理的標準工業產品。?
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不同阻斷電壓下IGBT效率的對比.
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運行條件是:fsw = 3,6KHz、cosφ = 0.9,相同模塊和冷卻條件下三相逆變器的運行
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1.7 kV IGBT封裝在不同的模塊外殼中。為了對比,我們可以采用*大的單管模塊IHM 2.4kA、?? 1.7kV,將兩個這樣的模塊和一個尺寸與長度相近的雙管模塊SKiiP1513GB172做比較。如果兩個SKiiP在散熱器上背靠背放置,則可得到一個電流是2 x 1.5kA = 3.0kA的半橋(外殼溫度= 25 ℃時 ),或者電流為 2.25kA的半橋(外殼溫度為70 ℃時)。
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兩個單管模塊將提供一個2.4kA的半橋。比較計算的結果可以看到,與放置在*大外殼中的標準模塊相比,采用SKiiP的方案可在整個開關頻率范圍內提供更高的輸出電流。可用逆變器輸出功率與開關頻率的關系見圖3。
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如果采用了更強大的SKiiP模塊,如使用氮化鋁作為陶瓷基板的SKiiP 1.8kA, 1.7kV,可從三相逆變器獲得更高的功率,即1800 kVA。
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圖4?? 配備了1800 kVA基本單元的示例
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3 并聯IGBT模塊
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以下方案對于IGBT模塊的并聯運行是可行的。
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⑴ 一臺三相逆變器用于整個功率的提供,相腳是由許多并聯的IGBT模塊和一個強大的驅動器組成。每個IGBT模塊必須有自己的柵極電阻與對稱直流環節和交流輸出連接。[1]
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⑵? 三相IGBT基本單元硬并聯。
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整個系統是通過一臺控制器及其PWM信號控制。所有三相逆變器都連接到一個公共的直流環節電壓。對于每個獨立基本單元驅動器,采用驅動器并聯板實現并聯。驅動器工作時間小的變化(小于100ns )是通過小的交流輸出扼流圈進行補償的(電感< 5 μH)。所有的三相逆變器同時運行,但存在小的時延,小時延可通過額外的交流扼流圈進行補償。采用對稱布局和IGBT飽和壓降的正溫度系數來保證適當的負載電流均衡。[2]
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第2項所述的系統每個基本單元附帶PWM信號的附加校正。并聯基本單元的精確負載電流均衡是由附加PWM校正控制的。
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將幾個帶同步PWM的單元并聯運行,且用附加PWM控制消除循環電流。[3]
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每個基本單元都使用電氣負載隔離。各個基本單元都有自己的控制器,通過絕緣繞組給負載提供電力。PWM是獨立的、非同步的、自由運行的信號,且每個基本單元都有自己單獨的直流環節。在電網側,每個基本單元有自己的正弦LC濾波器。假如輸出也是電氣隔離的,則不同直流環節間不存在循環電流。 這是將帶有標準獨立控制器的標準獨立基本單元并聯起來的*簡單的方法。